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Linggas成功建成 300T/a 電子級四氟化硅生產線

來源:Linggas研發中心 最后更新:2018-05-23 作者:靖宇 博士 

        高純電子級四氟化硅(SiF4)作為電子工業重要原料之一,具有較高的氟硅比,被廣泛應用于光纖、半導體或太陽能電池的生產,是電子產業核心制造業的基礎。它可以高效刻蝕氮化硅、硅化鉭等芯片材料,作為P型摻雜劑及外延沉積擴散硅源。特別在新一代芯片制程的高深寬比、大容量金屬層間絕緣介質加工工藝中,四氟化硅作為硅源可以達到較高的化學沉積速率,制成更優越的低介電常數SiO2薄膜。另外,四氟化硅也是光導纖維制造工藝的主要原料和光纖行業中硅基半導體離子注入制程的關鍵成分。

 

        綠菱電子材料(天津)有限公司致力于為集成電路、平板顯示、半導體照明、光伏電池材料以及光纖等行業提供各種特種氣體產品與服務。我們的研發團隊緊跟半導體先進制程的更新換代,不斷推進特種氣體在先進制程中的開發和應用,持續保持在行業中的優勢地位。經過幾年的技術研發,攻克了四氟化硅與復雜多元鹵代硅烷混合體系的分離純化難題,成功實現了大批量生產。為了解決四氟化硅與多種雜質共沸和四氟化硅易凝華造成夾帶的問題,綠菱自主開發了非極性弱氫鍵協同萃取劑配方,通過萃取精餾方法打破恒沸物精餾邊界,將四氟化硅中多元鹵代硅烷與碳氫化合物雜質分離至1 ppm以下。為了滿足半導體行業,特別是光纖產業中離子注入雜質(砷、硼、磷)和金屬離子雜質(如Cu、Al、Ti、W等)的含量,又要避免四氟化硅的分解,設計了表面鈍化處理過的高比表小孔徑MJ-59型離子脫除吸附劑和金屬離子純化器,通過自主研發的MJ-59吸附劑和高效金屬離子純化器可使As、B、P等金屬離子雜質含量達到客戶使用需求。同時,公司也開發了高靈敏度的金屬離子檢測方法和新一代安全包裝物。

 

        綠菱電子材料(天津)有限公司已于2017年7月建成了國內第一家300噸/年的高純電子級四氟化硅生產裝置并順利投產。

 

圖1 分離純化及分析裝置圖       

       

        高純電子級四氟化硅產品已通過了中芯國際、華潤上華等國內知名公司的測試,并已實現批量供貨。目前高純電子級四氟化硅產品已經實現了對美國、日本等半導體客戶的大批量出口。未來,我們將更加密切地配合國家產業發展方向,依托專業團隊的全力支持,通過更為開放的合作模式,最大限度發揮國內資源優勢,為客戶提供可信賴的服務和更完美的解決方案。

 

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